OFIL紫外成像儀非陶瓷絕緣體中的缺陷的早期檢測(cè)
目前，非陶瓷絕緣子有多種設(shè)計(jì)、材料、配方和制造工藝。雖然這在為用戶提供選擇方面是有益的，但這也意味著在出現(xiàn)問(wèn)題的情況下，故障模式可能會(huì)有所不同。眾所周知，NCI中的大多數(shù)問(wèn)題都源于接口。如果裝置不是單件制造的，則此類絕緣體的關(guān)鍵接口在棒和外殼之間、硬件棒外殼和不同外殼棚之間。OFIL紫外成像儀分公司|OFIL紫外成像儀總代理|OFIL紫外成像儀代表處|OFIL紫外成像儀總公司|OFIL紫外成像儀辦事處|在哪里
界面處電暈的存在導(dǎo)致護(hù)套損壞，暴露玻璃纖維桿，跟蹤桿，從而通過(guò)界面閃絡(luò)、桿燃燒和脆性斷裂導(dǎo)致絕緣子失效。此外，任何污染物如水、鹽和污垢的存在都會(huì)加劇這些位置的磁場(chǎng)。示出了故障NCI的圖片。可以看出，*初的幾個(gè)棚屋遭受了電暈切割。還可以看到以痕跡和侵蝕形式出現(xiàn)的一些退化。如果絕緣子損壞不在視線范圍內(nèi)，則在通過(guò)道路或直升機(jī)巡邏進(jìn)行例行線路檢查時(shí)，可能不會(huì)將其確定為問(wèn)題，直到裝置出現(xiàn)故障。面臨的挑戰(zhàn)是在退化的早期階段識(shí)別此類絕緣體，而此時(shí)仍有時(shí)間采取行動(dòng)。OFIL紫外成像儀非陶瓷絕緣體中的缺陷的早期檢測(cè)
了解電場(chǎng)分布在絕緣子設(shè)計(jì)中起著至關(guān)重要的作用，也有助于檢測(cè)內(nèi)部缺陷。在陶瓷絕緣子中，由于中間金屬部件的存在，電壓分布相對(duì)更為線性。該材料不會(huì)因電暈而降解，因此電暈在陶瓷絕緣子中通常不是問(wèn)題。然而，在NCI中，電壓分布高度不均勻，并可能導(dǎo)致電暈。電暈環(huán)通常用于電壓高于230 kV的NCI，以降低線路端部附近的電場(chǎng)。OFIL紫外成像儀非陶瓷絕緣體中的缺陷的早期檢測(cè)
*近有幾份出版物得出結(jié)論認(rèn)為，對(duì)于非陶瓷絕緣體中的缺陷的早期檢測(cè)，沒有簡(jiǎn)單易行的方法。檢查的方法包括局部放電檢測(cè)、紅外熱成像、電暈和可聽噪聲檢測(cè)、泄漏電流測(cè)量和電場(chǎng)測(cè)量[1]。在實(shí)用環(huán)境中，電場(chǎng)技術(shù)越來(lái)越多地被用作一種診斷工具，用于識(shí)別有缺陷的瓷件[2,3]。將其用于非陶瓷絕緣體似乎是合乎邏輯的步驟。通過(guò)這種測(cè)量可以檢測(cè)到哪些類型和程度的缺陷？這項(xiàng)研究就是為了回答這個(gè)問(wèn)題。以健康絕緣子的電場(chǎng)分布為參考。
建模的缺陷類型：對(duì)NCI上可能出現(xiàn)的幾種類型的缺陷進(jìn)行了建模。被認(rèn)為難以檢測(cè)但至關(guān)重要的各種類型的缺陷被納入健康模型并進(jìn)行模擬。這些缺陷的大小、位置和導(dǎo)電性各不相同。記錄沿探頭路徑靠近缺陷位置的字段值。然后將這些值與在健康情況下獲得的值進(jìn)行比較。目前使用的電場(chǎng)探頭對(duì)高于2 kV/m的電場(chǎng)值非常敏感[2]。因此，產(chǎn)生2 kV/m及以上差異的缺陷被視為可檢測(cè)，而其他缺陷則被視為不可檢測(cè)。由此獲得的現(xiàn)場(chǎng)值差異作為棚數(shù)的函數(shù)繪制。為更好地了解缺陷檢測(cè)的可能性，在上圖中擬合了對(duì)數(shù)趨勢(shì)線。OFIL紫外成像儀非陶瓷絕緣體中的缺陷的早期檢測(cè)
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考慮了各種類型的缺陷，如棚、柄、接口、端部配件外部軌道和桿套接口上的軌道上出現(xiàn)的缺陷。在仔細(xì)的目視檢查過(guò)程中，可以觀察到大多數(shù)外部缺陷。但是，殼體內(nèi)部出現(xiàn)的缺陷不可見。因此，此類缺陷被建模用于電場(chǎng)畸變研究，以驗(yàn)證使用表1所示的場(chǎng)探頭檢測(cè)此類缺陷的可能性。任何兩個(gè)連續(xù)棚之間距離出現(xiàn)的缺陷稱為單棚缺陷。單個(gè)脫落缺陷的形狀為圓柱體，高度為9.2 cm，直徑為5 mm。顯示了各種類型的單棚缺陷模型的圖解表示。同樣，模擬和分析了兩棚和三棚缺陷。
缺陷類型描述
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